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　　臺積電：搶跑“3nm時代”

　　此前，臺積電公司首席財務(wù)官Wendell Huang表示，受5G智能手機、高性能計算和信息技術(shù)相關(guān)應(yīng)用的推動，市場對由臺積電代工的5nm和7nm制程芯片的強勁需求將提振其第三季度的銷售業(yè)績。

　　從臺積電上一季度財報表現(xiàn)來看，16nm和7nm工藝仍是該公司第二季度營收的主要來源。其中，16nm工藝貢獻了18%的營收，7nm工藝貢獻了36%的營收，而28nm工藝則貢獻了14%的營收。

　　雖然未披露5nm工藝的營收狀況，但從當前5nm工藝芯片的應(yīng)用市場來看，主要被華為、蘋果兩大手機廠商分走了臺積電大部分5nm產(chǎn)能，主要就是為了即將搭載在各自年度旗艦手機上的麒麟9000芯片和蘋果A14芯片。

　　在最新的先進工藝制程研發(fā)上，臺積電在技術(shù)研討會上再次拋出重磅消息：N3 3nm工藝研發(fā)取得重大突破，計劃3nm芯片在2021 年進入風險性試產(chǎn)，2022 年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)。

　　資料顯示，臺積電3nm工藝不會像三星那樣選擇GAA晶體管技術(shù)，而是延續(xù)采納FinFET晶體管技術(shù)進行開發(fā)。N3 3nm工藝與N5 5nm工藝相比，相同功耗下性能提升約10~15%，相同性能下功耗減少約25~30%，前者邏輯區(qū)域密度提升1.7倍，但SRAM密度僅提升20%，模擬電路部分密度提升約10%，因此芯片層面上可能僅縮小26%左右。